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Optical, luminescence, and scintillation properties of ZnO and ZnO:Ga ceramics

机译:ZnO和ZnO:Ga的光学,发光和闪烁特性   陶瓷

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摘要

Uniaxial hot pressing has been used to obtain ceramics based on zinc oxide,and their optical, x-ray-structure, luminescence, and scintillationcharacteristics have been studied. It is shown that, by changing theconcentration of the dopant (Ga) and the codopant (N), it is possible to changethe intensities of the edge band (397.5 nm) and the intraband luminescence (510nm) of the ZnO luminescence, as well as their ratio. Undoped ZnO ceramic hasgood transparency in the visible region and fairly high luminous yield: 9050photons per MeV. Ceramic ZnO:Ga possesses intense edge luminescence with afalloff time of about 1 ns.
机译:单轴热压已被用于获得基于氧化锌的陶瓷,并研究了它们的光学,X射线结构,发光和闪烁特性。结果表明,通过改变掺杂剂(Ga)和共掺杂剂(N)的浓度,可以改变ZnO发光的边带强度(397.5nm)和带内发光强度(510nm),以及他们的比例。未掺杂的ZnO陶瓷在可见光区域具有良好的透明度,并且具有相当高的发光率:每MeV 9050个光子。陶瓷ZnO:Ga具有强烈的边缘发光性,衰减时间约为1 ns。

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